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元器件采购网 > T-398页 > JFET(结点场效应TF256-3-TL-H

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TF256-3-TL-H

3-SMD,扁平引线 ON Semiconductor 鐢佃瘽锛�0755-83217923
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TF256-3-TL-H参数
产品类别:分离式半导体产品-JFET(结点场效应
说明:IC JFET N-CH 20V 1MA USFP
包装数量:10000
包装形式:带卷 (TR)
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电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):100µA @ 2V
漏极至源极电压(Vdss):-
漏极电流 (Id) - 最大:1mA
FET 型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):-
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:100mV @ 1µA
输入电容 (Ciss) @ Vds:3.1pF @ 2V
电阻 - RDS(开):-
安装类型:表面贴装
包装:带卷 (TR)

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